真空蒸发镀膜过程中的真空条件 - 忆未来

真空蒸发镀膜过程中的真空条件

蒸发镀膜过程中,从膜材表面蒸发的粒子以一定的速度在空间沿直线运动,直到与其他粒子碰撞为止。在真空室内,当气相中的粒子浓度和残余气体的压力足够低时,这些粒子从蒸发源到基片之间可以保持直线飞行,否则,就会产生碰撞而改变运动方向。为此,增加残余气体的平均自由程,以减少其与蒸发粒子的碰撞几率,把真空室内抽成高真空是必要的。

  当真空容器内蒸发粒子的平均自由程大于蒸发源与基片的距离(以下称蒸距)时,就会获得充分的真空条件。设蒸距(蒸发源与基片的距离)为L,并把L看成是蒸发粒子已知的实际行程,λ 为气体分子的平均自由程,设从蒸发源蒸发出来的蒸汽分子数为N0,在相距为L 的蒸发源与基片之间发生碰撞而散射的蒸汽分子数为N1,而且假设蒸发粒子主要与残余气体的原子或分子碰撞而散射,则有

  N1/N0= 1- exp(L/λ) (1)

  在室温(25℃)和气体压力为p(Pa)的条件下,残余气体分子的平均自由程为

  λ = 6.65×10-1/pcm (2)

  由上式计算可知,在室温下,p=10-2 Pa 时,λ=66.5 cm,即一个分子在与其它分子发生两次碰撞之间约飞行66.5 cm。

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  http://www.chvacuum.com/application/film/032884.html

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